三星3nm芯片將于第二季度開始量產
三星電子宣布,將在本季度開始使用3GAE(早期3nm級柵極全能)工藝進行大規模生產,這也是首個使用環柵場效應晶體管(GAAFETs)的節點。三星方面表示:“這是世界上首次大規模生產的GAA 3納米工藝,將以此提高技術領先地位。”
三星電子宣布,將在本季度開始使用3GAE(早期3nm級柵極全能)工藝進行大規模生產,這也是首個使用環柵場效應晶體管(GAAFETs)的節點。三星方面表示:“這是世界上首次大規模生產的GAA 3納米工藝,將以此提高技術領先地位。”