國星光電：已具備GaN芯片技術儲備積極開展GaN功率器件等研發工作

今日，國星光電（002449）召開年度股東大會，會上審議通過了《2021年度董事會工作報告》等12個議案。去年，國星實現營業收入38.06億元，同比增長16.64%。歸母凈利潤2.03億元，同比增長100.28%；扣非后歸母凈利潤1.48億元，同比增長157.10%。

值得注意的是，2021年，國星光電在研發方面投入2.38億元，同比大幅增長63.19%，占營業收入比例為6.26%。涉及研發項目包括硅基AIGaN垂直結構近紫外大功率LED外延、芯片與封裝研究及應用、彩色Micro LED顯示與超高亮度微顯示技術研究、高性能新型顯示期間研發及產業化、車用LED芯片、紫外光等，折射新型顯示、車用照明、消殺照明、封裝技術等。

目前，國星光電已推出SiC功率分立器件、SiC功率模塊、GaN器件三大系列的第三代半導體。其中，SiC功率模塊及GaN器件新品實驗線已投入生產運作，可迅速響應對接客戶個性化的需求；SiC功率分立器件產品產線已投入使用，并完成了多個合作商的試產訂單。另外，國星光電子公司國星半導體現已具備硅基GaN芯片相關技術儲備，并積極與高校和研究所展開GaN功率器件等的研發工作，且參與了兩項第三代半導體方向的省級研發項目。

國星光電表示：“未來，將繼續鞏固RGB顯示屏用器件優勢做優做大做強，持續深耕Mini LED技術做精做強做專。具體措施為一方面加強Mini/Micro LED直顯技術儲備，另一方面擴大Mini LED背光產能規模，完善Mini技術路線布局。”（文穗）

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